Sakina Farikhullah Khan. (1997). Pencirian SiO2 untuk fabrikasi transistor MOS. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Sakina Farikhullah Khan. Pencirian SiO2 Untuk Fabrikasi Transistor MOS. Bangi: Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan, 1997.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Sakina Farikhullah Khan. Pencirian SiO2 Untuk Fabrikasi Transistor MOS. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan, 1997.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.