Sakina Farikhullah Khan. (1997). Pencirian SiO2 untuk fabrikasi transistor MOS. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan.
Chicago Style (17th ed.) CitationSakina Farikhullah Khan. Pencirian SiO2 Untuk Fabrikasi Transistor MOS. Bangi: Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan, 1997.
MLA引文Sakina Farikhullah Khan. Pencirian SiO2 Untuk Fabrikasi Transistor MOS. Fakulti Kejuruteraan, Universiti Kebangsaan, 1997.
警告:这些引文格式不一定是100%准确.