Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Asban Dolah (Author)
Format: Thesis Book
Language:Malay
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 01466nam a2200349 i 4500
003 UKM
005 20151210163200.0
008 151118s2015 my dal m 000 0 may d
039 9 |a 201512101632  |b athirah  |y 11-18-2015  |z zarina 
040 |a UKM  |e rda 
090 |a TK7871.95.A834 2015 tesis 
090 |a TK7871.95  |b .A834 2015 
100 0 |a Asban Dolah,  |e author. 
245 1 0 |a Kesan sepuhlindap ke atas ciri elektrik sentuhan Ohmik dan Schottky untuk peranti transistor elektron berkelincahan tinggi (HEMTs) /  |c Asban Dolah. 
264 0 |c 2015. 
300 |a xiv, 127 pages,  |b charts, illustrations, samples ;  |c 30 cm. 
336 |a text  |2 rdacontent 
337 |a unmediated  |2 rdamedia 
338 |a volume  |2 rdacarrier 
502 |a Tesis (Sarjana Sains) - Universiti Kebangsaan Malaysia, 2015. 
504 |a Rujukan : mukasurat [93]-100. 
593 |a Cd yang disertakan adalah duplikasi kepada tesis bercetak dan tidak boleh dirujuk/dipinjam. 
610 2 0 |a Universiti Kebangsaan Malaysia  |x Dissertations. 
650 0 |a Metal semiconductor field-effect transistors. 
650 0 |a Gallium arsenide semiconductors. 
650 0 |a Dissertations, Academic  |z Malaysia. 
907 |a .b16235320  |b 28-09-20  |c 12-11-19 
998 |a t  |b 11-05-15  |c m  |d x   |e -  |f may  |g my   |h 0 
914 |a vtls003596321 
990 |a szj/athirah 
991 |a Fakulti Sains dan Teknologi 
945 |g 0  |i 00002160510  |j 0  |l t0013  |n No. of pieces: 1  |o -  |p MYR0.00  |q -  |r -  |s -   |t 3  |u 0  |v 0  |w 0  |x 0  |y .i20790600  |z 12-11-19