Parametric study of sputtering microchannels on silicon using a focused ion beam /
Focused ion beam (FIB) has been widely used in microelectronic applications as it has the capabilities to perform both imaging and sputtering down to the nanometer scale. Essential FIB parameters include the accelerating voltage, beam current, beam diameter, pixel spacing, dwell time and scanning ti...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Siti Fatimah binti Mohd Shahar (مؤلف) |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
Kuala Lumpur :
Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia,
2017
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | Click here to view 1st 24 pages of the thesis. Members can view fulltext at the specified PCs in the library. |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Effect of focused ion beam machining parameters on geometrical accuracy of Bio-MEMS /
بواسطة: Nurul Hajar binti Mohd Fuad
منشور في: (2011) -
Ion beam micromachining of crystalline solids /
بواسطة: Ali, Mohammad Yeakub
منشور في: (2002) -
A study of ion-surface interactions using a multiphoton ionisation technique /
بواسطة: Roslan Md. Nor
منشور في: (1994) -
Heavy ion transfer reactions /
بواسطة: Hasnita Hashim
منشور في: (1988) -
Secondary ions emission from Si(100) /
بواسطة: Low, Heng Siong
منشور في: (1996)