Ganiyev, S. (2015). Electrical characterization of 4H silicon carbide Schottky diodes under electron radiation. Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Ganiyev, Sabuhi. Electrical Characterization of 4H Silicon Carbide Schottky Diodes Under Electron Radiation. Kuala Lumpur: Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia, 2015.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Ganiyev, Sabuhi. Electrical Characterization of 4H Silicon Carbide Schottky Diodes Under Electron Radiation. Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia, 2015.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.