Electrical characterization of 4H silicon carbide Schottky diodes under electron radiation /
Electronic components utilized in space missions are required to be radiation hard to maintain optimized electrical performance. Because of its wide bandgap, 4H-SiC based devices have been demonstrated to be the most suitable candidate for this purpose. This research investigates the effects of elec...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Kuala Lumpur :
Kulliyyah of Engineering, International Islamic University Malaysia,
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://studentrepo.iium.edu.my/handle/123456789/4742 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|