Rosminazuin binti Ab. Rahim. Significance of post oxidation annealing (POA) and post metallization annealing (PMA) on the capacitance-voltage characterization of Si3N4 mos capacitor.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Rosminazuin binti Ab. Rahim. Significance of Post Oxidation Annealing (POA) and Post Metallization Annealing (PMA) on the Capacitance-voltage Characterization of Si3N4 Mos Capacitor.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Rosminazuin binti Ab. Rahim. Significance of Post Oxidation Annealing (POA) and Post Metallization Annealing (PMA) on the Capacitance-voltage Characterization of Si3N4 Mos Capacitor.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.