Performance analysis of a wideband LNA utilizing 0.18um technology with HBM ESD Protection / Nor Aida Nordin
The following report presents the performance analysis of wideband low noise amplifier (LNA) design circuits utilizing 0.18]uin CMOS technology. The objective of this performed analysis of a LNA design that need achieve sufficiently large gain and low noise figure, compare the design with other desi...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Nordin, Nor Aida |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2010
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/102745/2/102745.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Development Of Inductively-Degenerated LNA For W-CDMA Application Utilizing 0.18 Um RFCMOS Technology
بواسطة: Mohd. Noh, Norlaili
منشور في: (2009) -
In house electrostatic field meter calibration for improved ESD protection /
بواسطة: Husna Abdul Rahim
منشور في: (2019) -
Design and stimulation of a tunable band pass filter using 0.18 um CMOS /
بواسطة: Thangasamy, Veeraiyah
منشور في: (2011) -
Design of 8T SRAM and sense amplifier 0.18um CMOS technology / Rozita Muhammad
بواسطة: Muhammad, Rozita
منشور في: (2013) -
Clock gating techniques using 0.18um CMOS technology / Muhammad Syafiq Ab Rahim
بواسطة: Ab Rahim, Muhammad Syafiq
منشور في: (2011)