Baharom, A. H. (2010). Investigation of shallow trench isolation and silicide effect on 90nm CMOS devices / Abu Hudzaifah Baharom.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Baharom, Abu Hudzaifah. Investigation of Shallow Trench Isolation and Silicide Effect on 90nm CMOS Devices / Abu Hudzaifah Baharom. 2010.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Baharom, Abu Hudzaifah. Investigation of Shallow Trench Isolation and Silicide Effect on 90nm CMOS Devices / Abu Hudzaifah Baharom. 2010.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.