Tunable high speed pulse generator for Phase Change Memory (PCM) using 0.13um technology / Munirah Rasin
This project presents a tunable high speed pulse generator for Phase Change Memory (PCM) using 0.13um technology. The promising candidates for the next generation memory device is PCM with high speed, high performance and low production cost which are the major issues in the semiconductor industry....
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Rasin, Munirah |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2015
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/98384/1/98384.PDF |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
بواسطة: Ahmad, Afandi
منشور في: (2003) -
High speed and low power double tail comparator for ADC application using 0.13um technology / Nur Fauzana Taib
بواسطة: Taib, Nur Fauzana
منشور في: (2015) -
Low noise and low power ECG amplifier using cmos 0.13μm technology
بواسطة: Kamaruzzaman, Zulfadli
منشور في: (2018) -
Design and characterization of 8×1 photon counting array in 0.13 μm CMOS technology at 1 GHz
بواسطة: Tan, Yi Quan
منشور في: (2020) -
Multiplier integrated circuit design for digital neuron using 0.13μm technology / Ahmad Ridhuwan Sudin
بواسطة: Sudin, Ahmad Ridhuwan
منشور في: (2012)