Tunable high speed pulse generator for Phase Change Memory (PCM) using 0.13um technology / Munirah Rasin

This project presents a tunable high speed pulse generator for Phase Change Memory (PCM) using 0.13um technology. The promising candidates for the next generation memory device is PCM with high speed, high performance and low production cost which are the major issues in the semiconductor industry....

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Rasin, Munirah
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2015
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://ir.uitm.edu.my/id/eprint/98384/1/98384.PDF
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!