Ohmic contact formation of gallium nitride and electrical properties improvement
In this chapter, in order to improve the electrical conduction of Mg-doped p-type GaN contacts, enhancement of hydrogen release from GaN substrates is attempted. The electrical conduction profiles of the p-type GaN/Ni contact annealed at 573 K and 673 K for 3600 s while subjected to current flow sho...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://umpir.ump.edu.my/id/eprint/16957/19/Ohmic%20contact%20formation%20of%20gallium%20nitride%20and%20electrical%20properties%20improvement.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|