Modelling and switching simulation of gate turn-off thyristor using finite element method
The gate turn-off (GTO) thyristor has the best voltage blocking and current conducting capabilities among all known high power semiconductor switching devices. The switching characteristics of a GTO thyristor are influenced by doping profile, material properties, lifetime and mobility of holes an...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://umpir.ump.edu.my/id/eprint/2187/1/NORAINON_MOHAMED.PDF |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|