The effect of Phosphorous implant in converting the Enhancement Mode Transistor into Depletion Mode Transistor
Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor (MOSFET) forms the basis in most of electronic applications. In certain part of electronic circuitry, there is a requirement to use depletion mode of MOSFET which delivers current at Vg=0V. This type of transistor is normally on unless reverse-pola...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Hazian, Mamat |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/1450/2/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/1450/3/Full%20text.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optimization and characterization of 130 Nm CMOS transistor design using TCAD simulation /
بواسطة: Hani Noorashiqin Abd Majid
منشور في: (2007) -
Fabrication and characterization of microfluidic field effect transistor on silicon substrate
بواسطة: Maizatul, Zolkapli -
Electrical characterization of bulk traps and interface traps in the fully-depleted SOI MOSFET /
بواسطة: Lun, Zhao
منشور في: (2002) -
A study of hot carrier degradation in LDMOS transistor /
بواسطة: Atikah Razi
منشور في: (2013) -
Impact of fabrication process on hot carrier injection in VDMOS transistor /
بواسطة: Murti, Wijaya Bayu
منشور في: (2013)