A study of multilayer solar cells performances using gallium arsenide (gaAs) and silicon (Si)
The present low efficiency of solar cells is due to the incomplete use of the solar spectrum. Since different semiconductor materials have different band gaps, it responds separately to different parts of the solar spectrum and therefore, it is possible to put several layers in a series. The multila...
محفوظ في:
التنسيق: | أطروحة |
---|---|
اللغة: | English |
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78344/1/Page%201-24.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78344/2/Full%20text.pdf http://dspace.unimap.edu.my:80/xmlui/bitstream/123456789/78344/3/Suhaila.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Design of silicon nitride metal-insulator-metal capacitor using 0.15 um gallium arsenide technology
بواسطة: Sanusi, Rasidah
منشور في: (2010) -
Fabrication and characterization of Ohmic contacts made with Au/Ni/Ge/Au multilayer metallization system on N-type gallium arsenide /
بواسطة: Lee, Seng Hin
منشور في: (1990) -
Study of LT-GaAs and LT-A1(0.3)Ga(0.7A)As MISFET devices /
بواسطة: Rao, Rapeta V.V.V. Jagannadha
منشور في: (2000) -
Reactions of sulfur containing small molecules on the GaAs(100) surface /
بواسطة: Zou, Zheng
منشور في: (1998) -
Defect studies of MBE grown AlGaAs/GaAs and InGaAs/GaAs materials /
بواسطة: Du, An Yan
منشور في: (1998)