Design of 200V n-type superjunction lateral insulated gate bipolar transistor on partial silicon on insulator

Lateral insulated-gate bipolar transistors (LIGBTs) have long been proposed for use in integrated Power Integrated Circuits (PICs). LIGBTs can be fabricated on either bulk silicon substrate or silicon-on-insulator (SOl). The later have been favored by most Integrated PICs due to its superior isol...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Kho, Elizabeth Ching Tee
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2014
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://ir.unimas.my/id/eprint/14281/1/Elizabeth.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة