Electrochemical Deposition and Characterization of Copper Indium Disulfide Semiconductor Thin Films
Copper indium disulfide (CuInS2) has attracted much interest as absorber layer in photovoltaic cellapplications because of its direct band gap energy of ~1.5 eV, high conversion efficiency, high absorption coefficient and free from hazardous chalcogenides, selenium or tellurium. In this work, three...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Teo, Sook Liang |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://psasir.upm.edu.my/id/eprint/19881/1/FS_2011_40_ir.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Pulse electrochemical deposition and photocorrosion of copper indium diselenide thin film
بواسطة: Ghamarian, Nima
منشور في: (2012) -
Structure, morphology, optical and electrochemical properties of indium and aluminum based nitride thin films deposited by plasma-assisted reactive evaporation /
بواسطة: Rash, Mahdi Alizadeh Kouzeh
منشور في: (2016) -
Surface and bulk studies of indium gallium nitride thin films /
بواسطة: Lau, Ernest Wei-Pin
منشور في: (1998) -
Electrophoretic Deposition and Characterization of Copper Selenide Thin Films
بواسطة: Abdul Razak, Mohd Fairul Sharin
منشور في: (2007) -
Preparation and characterization of deposited 3C-SiC films for electronic applications /
بواسطة: Bushroa Abdul Razak
منشور في: (2004)