PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates

Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio...

全面介紹

Saved in:

書目詳細資料
主要作者:	Chuah , Lee Siang
格式:	Thesis
語言:	English
出版:	2009
主題:	QC1 Physics (General)
在線閱讀:	http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf
標簽:	添加標簽沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!

id	my-usm-ep.15595
record_format	uketd_dc
spelling	my-usm-ep.155952020-01-16T07:23:20Z PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates 2009 Chuah , Lee Siang QC1 Physics (General) Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio-frequency (RF) nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) technique was used to grow GaN-based layers on Si(111) substrate using high temperature grown AlN as buffer layer. 2009 Thesis http://eprints.usm.my/15595/ http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf application/pdf en public phd doctoral Universiti Sains Malaysia Pusat Pengajian Sains Fizik
institution	Universiti Sains Malaysia
collection	USM Institutional Repository
language	English
topic	QC1 Physics (General)
spellingShingle	QC1 Physics (General) Chuah , Lee Siang PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
description	Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio-frequency (RF) nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) technique was used to grow GaN-based layers on Si(111) substrate using high temperature grown AlN as buffer layer.
format	Thesis
qualification_name	Doctor of Philosophy (PhD.)
qualification_level	Doctorate
author	Chuah , Lee Siang
author_facet	Chuah , Lee Siang
author_sort	Chuah , Lee Siang
title	PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
title_short	PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
title_full	PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
title_fullStr	PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
title_full_unstemmed	PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
title_sort	pa-mbe gan-based optoelectronics on silicon substrates
granting_institution	Universiti Sains Malaysia
granting_department	Pusat Pengajian Sains Fizik
publishDate	2009
url	http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf
_version_	1747819873695694848

PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates

相似書籍