PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio...
Saved in:
主要作者: | Chuah , Lee Siang |
---|---|
格式: | Thesis |
语言: | English |
出版: |
2009
|
主题: | |
在线阅读: | http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf |
标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
相似书籍
-
A1GaN Thin Films On Silicon Substrates For Photodetector And Transistor Devices
由: Hussein, Asaad Shakir
出版: (2011) -
Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
由: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
出版: (2019) -
Polycrystalline GaN Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
由: Kamarulzaman, Azharul Ariff
出版: (2017) -
DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application
由: Munir, Tariq
出版: (2011) -
Al-Ta2O5-GaN
Semiconductor Device Structure
由: Yeoh, Lai Seng
出版: (2014)