PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal. In this project, radio...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2009
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/15595/1/PA-MBE_GaN-BASED_OPTOELECTRONICS_ON_SILICON_SUBSTRATES.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|