Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Abdul Hamid, Noorhisyam
Format:	Thesis
Language:	English
Published:	2005
Subjects:	Q Science (General)
Online Access:	http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	my-usm-ep.29184
record_format	uketd_dc
spelling	my-usm-ep.291842017-04-12T03:23:19Z Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza 2005-02 Abdul Hamid, Noorhisyam Q Science (General) Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers 2005-02 Thesis http://eprints.usm.my/29184/ http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf application/pdf en public masters USM Pusat Pengajian Sains Kimia
institution	Universiti Sains Malaysia
collection	USM Institutional Repository
language	English
topic	Q Science (General)
spellingShingle	Q Science (General) Abdul Hamid, Noorhisyam Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
description	Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
format	Thesis
qualification_level	Master's degree
author	Abdul Hamid, Noorhisyam
author_facet	Abdul Hamid, Noorhisyam
author_sort	Abdul Hamid, Noorhisyam
title	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_short	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_fullStr	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full_unstemmed	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_sort	pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon (111) pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza-beza
granting_institution	USM
granting_department	Pusat Pengajian Sains Kimia
publishDate	2005
url	http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf
_version_	1747820100234248192

Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza

Similar Items