Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
Saved in:
Main Author: | Abdul Hamid, Noorhisyam |
---|---|
Format: | Thesis |
Language: | English |
Published: |
2005
|
Subjects: | |
Online Access: | http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items
-
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
by: Abdul Hamid, Noorhisyam
Published: (2005) -
Kesan ketebalan dan suhu sepuh lindap filem nipis kuprum ftalosianina ke atas prestasi peranti sel suria heterosimpangan /
by: Hanashriah Hassan
Published: (2011) -
Oxidation-induced stacking fault in (100) and (111) silicon wafers /
by: Liang, Mei Keat
Published: (2002) -
Kesan penipisan wafer terhadap keutuhan mekanikal wafer silikon dan proses pemotongan /
by: Hoh, Huey Jiun
Published: (2006) -
Analisis masalah olakan bebas dengan kaedah beza terhingga
by: Shafie, Sharidan
Published: (1996)