Inductively Coupled Plasma Etching On Gan

Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Rosli, Siti Azlina
Format: Thesis
Language:English
Published: 2010
Subjects:
Online Access:http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id my-usm-ep.29516
record_format uketd_dc
spelling my-usm-ep.295162017-03-22T02:23:46Z Inductively Coupled Plasma Etching On Gan 2010-01 Rosli, Siti Azlina QC1 Physics (General) Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project, the research mainly focused on the investigation of the influence of the various plasma mixtures (H2 and Ar) in Ch-based on GaN using dry etching majoring in Inductively Coupled Plasma etching to obtain highly anisotropic 2010-01 Thesis http://eprints.usm.my/29516/ http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf application/pdf en public masters USM Pusat Pengajian Sains Fizik
institution Universiti Sains Malaysia
collection USM Institutional Repository
language English
topic QC1 Physics (General)
spellingShingle QC1 Physics (General)
Rosli, Siti Azlina
Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
description Dalam projek ini, penyelidikan difokuskan kepada kajian tentang pengaruh pelbagai campuran plasma (H2 dan Ar) kepada Ch sebagai gas asas pada GaN menggunakan punaran kering khususnya punaran plasma yang digandingkan secara teraruh (ICP) untuk mendapatkan anisotropik yang tinggi In this project, the research mainly focused on the investigation of the influence of the various plasma mixtures (H2 and Ar) in Ch-based on GaN using dry etching majoring in Inductively Coupled Plasma etching to obtain highly anisotropic
format Thesis
qualification_level Master's degree
author Rosli, Siti Azlina
author_facet Rosli, Siti Azlina
author_sort Rosli, Siti Azlina
title Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
title_short Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
title_full Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
title_fullStr Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
title_full_unstemmed Inductively Coupled Plasma Etching On Gan
title_sort inductively coupled plasma etching on gan
granting_institution USM
granting_department Pusat Pengajian Sains Fizik
publishDate 2010
url http://eprints.usm.my/29516/1/Inductively_coupled_plasma_etching_on_GaN.pdf
_version_ 1747820161886322688