Morphological And Optical Properties Of Porous Gallium Nitride (Gan) Fabricated By Photoelectrochemical Process
Kajian mengenai fabrikasi filem nipis GaN berliang melalui proses fotoelektrokimia (PEC) telah dilaporkan. An investigation into the fabrication of porous GaN thin films via photoelectrochemical (PEC) process was reported. The main objective for this research work is to investigate the morpho...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2015
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/30084/1/Cheah_Sook_Fong.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| الملخص: | Kajian mengenai fabrikasi filem nipis GaN berliang melalui proses fotoelektrokimia
(PEC) telah dilaporkan.
An investigation into the fabrication of porous GaN thin films via
photoelectrochemical (PEC) process was reported. The main objective for this
research work is to investigate the morphological and optical properties of fabricated
porous GaN thin films. |
|---|