Morphological And Optical Properties Of Porous Gallium Nitride (Gan) Fabricated By Photoelectrochemical Process
Kajian mengenai fabrikasi filem nipis GaN berliang melalui proses fotoelektrokimia (PEC) telah dilaporkan. An investigation into the fabrication of porous GaN thin films via photoelectrochemical (PEC) process was reported. The main objective for this research work is to investigate the morpho...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Cheah , Sook Fong |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2015
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/30084/1/Cheah_Sook_Fong.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Gallium Nitride (Gan) Based Gas Sensor
Using Catalytic Metal
بواسطة: Hudeish, Abdo Yahya Omer
منشور في: (2005) -
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
بواسطة: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011) -
Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate
بواسطة: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2016) -
Fabrication Of Gallium Nitride Nanowires Via Chemical Vapour Deposition
بواسطة: Low, Li Li
منشور في: (2012) -
Study on the morphological and optical properties of porous anodic alumina
بواسطة: Chin, Ing khang
منشور في: (2016)