Fabrication And Investigation Of Gan Nanostructures And Their Applications In Ammonia Gas Sensing

Dalam kerja ini, nanodawai GaN, GaN berliang (PGaN), dan pengesan gas ammonia (NH3) telah difabrikasi dan dikaji. Sampel nanodawai GaN dalam kerja ini ditumbuh dengan kaedah pemendapan wap kimia (CVD), yang bermod pertumbuhan wapcecair-pepejal (VLS). Untuk pengajian nanodawai GaN, tumpuan diberi ter...

全面介绍

Saved in:
书目详细资料
主要作者: Beh , Khi Poay
格式: Thesis
语言:English
出版: 2015
主题:
在线阅读:http://eprints.usm.my/30549/1/BEH_KHI_POAY.pdf
标签: 添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
实物特征
总结:Dalam kerja ini, nanodawai GaN, GaN berliang (PGaN), dan pengesan gas ammonia (NH3) telah difabrikasi dan dikaji. Sampel nanodawai GaN dalam kerja ini ditumbuh dengan kaedah pemendapan wap kimia (CVD), yang bermod pertumbuhan wapcecair-pepejal (VLS). Untuk pengajian nanodawai GaN, tumpuan diberi terhadap mekanisma pertumbuhan VLS, terutamanya kesan pemangkin logam. In this work, gallium nitride (GaN) nanowires, porous GaN (PGaN), and ammonia (NH3) gas sensors have been fabricated and studied. The GaN nanowires samples in this work were grown using chemical vapour deposition (CVD) method, additionally employing vapour-liquid-solid (VLS) growth mode.