Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649]
Objektif kajian ini adalah untuk mengkaji keberkesanan mendopkan sebatian karbon keatas SiO2 untuk menghasilkan bahan dielektrik k rendah. The semiconductor industry is entering a new millennium where scientists and engineers are continuing to search for the ideal dielectric material for future c...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2004
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/3087/1/QC585.75.S55_L732_2004_f_rb-Carbon_doped_silicon_dioxide_low_K_dielectric_material-_by_Alex_Lim_Ying_Kiat-Fizik-Microfiche_7649.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|