Transparent Conductive Electrodes For Gan-Based Light Emitting Device
Sesentuh elektrik yang berkeupayaan sebagai pengalir arus elektrik yang tinggi dan lutsinar optik yang baik dalam panjang gelombang cahaya nampak adalah sangat penting untuk kecekapan peranti optoelektronik. Kajian ini difokuskan ke atas elektrod pengalir lutsinar (TCE) yang dimendapkan ke atas temp...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ali, Ahmad Hadi |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/31513/1/AHMAD_HADI_BIN_ALI_24.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Simulation On Performance Of Gan-Based Light Emitting Diodes With Varied Geometry And Contacts Design
بواسطة: Othman, Muhammad Firdaus
منشور في: (2010) -
Thermal And Optical Performance Of Ingaalp-Based Low- And Gan-Based High-Power Light-Emitting Diode Packages
بواسطة: Abdullah Raypah, Muna Ezzi
منشور في: (2020) -
Al-Ta2O5-GaN
Semiconductor Device Structure
بواسطة: Yeoh, Lai Seng
منشور في: (2014) -
A1GaN Thin Films On Silicon Substrates For Photodetector And Transistor Devices
بواسطة: Hussein, Asaad Shakir
منشور في: (2011) -
Epitaxial Growth Of Iii-V Nitrides Based Light Emitting Diodes By Metal Organic Chemical Vapor Deposition
بواسطة: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2023)