Transparent Conductive Electrodes For Gan-Based Light Emitting Device
Sesentuh elektrik yang berkeupayaan sebagai pengalir arus elektrik yang tinggi dan lutsinar optik yang baik dalam panjang gelombang cahaya nampak adalah sangat penting untuk kecekapan peranti optoelektronik. Kajian ini difokuskan ke atas elektrod pengalir lutsinar (TCE) yang dimendapkan ke atas temp...
Saved in:
主要作者: | Ali, Ahmad Hadi |
---|---|
格式: | Thesis |
语言: | English |
出版: |
2016
|
主题: | |
在线阅读: | http://eprints.usm.my/31513/1/AHMAD_HADI_BIN_ALI_24.pdf |
标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
相似书籍
-
Simulation On Performance Of Gan-Based Light Emitting Diodes With Varied Geometry And Contacts Design
由: Othman, Muhammad Firdaus
出版: (2010) -
Thermal And Optical Performance Of Ingaalp-Based Low- And Gan-Based High-Power Light-Emitting Diode Packages
由: Abdullah Raypah, Muna Ezzi
出版: (2020) -
Al-Ta2O5-GaN
Semiconductor Device Structure
由: Yeoh, Lai Seng
出版: (2014) -
A1GaN Thin Films On Silicon Substrates For Photodetector And Transistor Devices
由: Hussein, Asaad Shakir
出版: (2011) -
Epitaxial Growth Of Iii-V Nitrides Based Light Emitting Diodes By Metal Organic Chemical Vapor Deposition
由: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
出版: (2023)