Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate
Kajian ini memfokuskan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat silikon (Si) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio (RF sputtering) dan penyejat alur elektron (e-beam evaporator). Untuk perbandingan, lapisan penampan nitrida aluminium nitrida (AlN), lapisan penampan titani...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 語言: | English |
| 出版: |
2016
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://eprints.usm.my/31756/1/MUHAMMAD_ESMED_ALIF_BIN_SAMSUDIN_24%28NN%29.pdf |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
成為第一個發表評論!