Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate
Kajian ini memfokuskan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat silikon (Si) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio (RF sputtering) dan penyejat alur elektron (e-beam evaporator). Untuk perbandingan, lapisan penampan nitrida aluminium nitrida (AlN), lapisan penampan titani...
Saved in:
主要作者: | |
---|---|
格式: | Thesis |
语言: | English |
出版: |
2016
|
主题: | |
在线阅读: | http://eprints.usm.my/31756/1/MUHAMMAD_ESMED_ALIF_BIN_SAMSUDIN_24%28NN%29.pdf |
标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|
成为第一个发表评论!