Growth Of Gan Films On Gaas (100) Substrate By Rf-Sputtering And E-Beam Evaporation Techniques
Kajian ini menunjukkan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat gallium arsenida (GaAs) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio dan penyejat alur elektron. Sebagai perbandingan, penumbuhan secara terus ke atas substrat GaAs dan lapisan penampan nitrida seperti aluminum nitr...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Md Taib, Muhamad Ikram |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/31850/1/MUHAMAD_IKRAM_BIN_MD_TAIB_24%28NN%29.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Fabrication And Characterization Of Gan
Grown On Cubic Si (100) And Gaas (001)
Substrates
بواسطة: Mohmad Zaini, Siti Nurul Waheeda
منشور في: (2015) -
Characterization Of Gan Nanowies Grown By Thermal Evaporation On Different Substrates And The Study Of Their Capability As A Solar Cell
بواسطة: Shekari, Leila
منشور في: (2013) -
Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
بواسطة: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
منشور في: (2019) -
GeSn Film Deposited By Rf Magnetron Sputtering For Photodetector Applications
بواسطة: Sheikh Sarmast, Hadi Mahmodi
منشور في: (2017) -
Thin Film Silicon Solar Cell Prepared By Thermal Evaporation On Polyimide Substrate
بواسطة: Pakhuruddin, Mohd Zamir
منشور في: (2012)