Growth Of Gan Films On Gaas (100) Substrate By Rf-Sputtering And E-Beam Evaporation Techniques

Kajian ini menunjukkan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat gallium arsenida (GaAs) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio dan penyejat alur elektron. Sebagai perbandingan, penumbuhan secara terus ke atas substrat GaAs dan lapisan penampan nitrida seperti aluminum nitr...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Md Taib, Muhamad Ikram
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2016
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.usm.my/31850/1/MUHAMAD_IKRAM_BIN_MD_TAIB_24%28NN%29.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!