Growth Of Gan Films On Gaas (100) Substrate By Rf-Sputtering And E-Beam Evaporation Techniques
Kajian ini menunjukkan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat gallium arsenida (GaAs) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio dan penyejat alur elektron. Sebagai perbandingan, penumbuhan secara terus ke atas substrat GaAs dan lapisan penampan nitrida seperti aluminum nitr...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2016
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.usm.my/31850/1/MUHAMAD_IKRAM_BIN_MD_TAIB_24%28NN%29.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|