Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates
Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisio...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2016
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/31959/1/FONG_CHEE_YONG_24%28NN%29.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| الملخص: | Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisional telah dibangunkan untuk mensintesis filem nipis GaN pada masa dahulu. Walau bagaimanapun, hanya terdapat beberapa kajian yang dilaporkan berkaitan dengan pertumbuhan filem nipis GaN dengan menggunakan kaedah salutan putaran sol-gel yang agak mudah dan lebih murah berbanding dengan kaedah yang dinyatakan sebelum ini. Oleh itu, objektif utama kajian ini adalah untuk menumbuhkan filem nipis GaN dengan kaedah salutan putaran sol-gel. Fasa awal projek ini melibatkan sintesis dan pencirian filem nipis GaN ditumbuh dengan menggunakan kaedah salutan putaran sol-gel tanpa diethanolamina (DEA).
Gallium nitride (GaN) which has a direct band gap of 3.4 eV has become the focus of materials research. This is due to its unique combination of properties and technological importance for use in various applications such as optoelectronic devices and high power electronic devices. Various conventional methods have been developed to synthesize GaN thin films in the past few decades. However, there are only a few reported studies dealing with the growth of GaN thin films by using sol-gel spin coating method which is simpler and cheaper as compared to the conventional methods. Thus, the main objective of this work is to grow GaN thin films using sol-gel spin coating method. The initial phase of this work involved the synthesis and characterization of GaN thin films grown by using sol-gel spin coating method without diethanolamine (DEA).
|
|---|