Particle Removal In Post Chemical-Mechanical Planarization (Cmp) Cleaning Process: Experimental And Modeling Studies - Lok , Yian Han (2009)

(untitled)
Proses pencucian pasca perataan secara mekanikal-kimia memainkan peranan penting dalam teknologi wafer kerana ia adalah salah satu objektif untuk menghasilkan permukaan yang berkualiti tinggi bagi dimensi yang halus. Kajian ini terdiri daripada eksperimen dan teori untuk menilai kecekapan penyingkiran zarah silikon dioksida (SiO2) daripada permukaan wafer silikon semasa proses pencucian pasca perataan secara mekanikal-kimia (CMP). Kapasiti penyingkiran zarah daripada permukaan wafer melalui cakera pencucian dikaji menggunakan air dinyah ion dan asid sitrik dengan kadar pengaliran (dari 200 ml/min hingga 400 ml/min), tekanan cakera pencucian(1psi, 2psi dan 3psi), dan kelajuan cakera pencucian (0rpm, 1rpm and 2rpm) yang berbeza. Kecekapan penyingkiran zarah dalam setiap kes dikaji menggunakan jumlah zarah yang diukur melalui mesin pembiasan laser (SP1 KLA Tencor). Kecekapan penyingkiran zarah didapati meningkat dengan peningkatan kadar pengaliran, tekanan cakera pencucian dan kelajuan cakera pencucian.