Fabrication Of Gold Nanodot On Silicon Substrate By Scanning Probe Microscopy And Its Characterization
Penggunaan teknik-teknik berasaskan mikroskop siasat imbasan (SPM) sebagai suatu alat pembuatan dan pencirian telah dilakukan. Mod AFM tak-sentuh yang dioperasikan pada suhu bilik dan di bawah keadaan vakum telah digunakan untuk mendepositkan nanodot emas di atas substrat silikon. Perkara ini dapat...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.usm.my/41777/1/Fabrication_Of_Gold_Nanodot_On_Silicon_Substrate_By_Scanning_Probe_Microscopy_And_Its_Characterization.pdf |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | Penggunaan teknik-teknik berasaskan mikroskop siasat imbasan (SPM) sebagai suatu alat pembuatan dan pencirian telah dilakukan. Mod AFM tak-sentuh yang dioperasikan pada suhu bilik dan di bawah keadaan vakum telah digunakan untuk mendepositkan nanodot emas di atas substrat silikon. Perkara ini dapat diperolehi dengan mengawal jarak antara tip-sampel menggunakan sistem kawalan maklum balas melalui penggunaan suatu daya elektrostatik luaran. Penggunaan suatu denyut voltan yang sama ada berpolariti positif atau negatif ke atas tip kantiliver bersalut emas 70 nm dilakukan untuk mendepositkan nanodot emas. Dimensi nanodot emas yang difabrikasi mempunyai diameter 42.5 – 150.4 nm dan ketinggian 2.3 – 7.8 nm. Dapat diperhatikan bahawa terdapat kecenderungan diameter nanodot meningkat dengan meningkatnya denyut voltan. Sementara itu, ketinggian nanodot meningkat dengan meningkatnya tempoh denyut voltan. Suatu gabungan arbitrari amplitud denyut voltan gunaan dan jarak tip-sampel tidak menghasilkan deposit. Pergantungan jarak tip sampel menunjuk kebergantungannya kepada parameter-parameter medan elektrik yang mengawal proses pendepositan dan didapati bahawa takat ambang medan elektrik ialah di sekitar 8 V/nm. Kajian sifat-sifat keelektrikan nanodot di atas substrat silicon telah dilakukan menggunakan suatu AFM pengalir dan menunjukkan bahawa ciri (I-V) substrat ini bertindak sebagai sebuah diod halangan Schottky. Ciri-ciri (I-V) diod ini telah dianalisa berasaskan teori pelepasan termionik. Parameter asas diod seperti faktor keunggulan (n) dan ketinggian halangan ( |
|---|