Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
The main goal of this work presented in this thesis was to fabricate nanostructures of GaN using two low-cost electrochemical techniques namely photoelectrochemical etching (PECE) and electrochemical deposition (ECD). In the first category of this work, the porous GaN was generated using photoelectr...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/41902/1/KHALLED_MHAMMAD_KALLEF_AL-HEUSEEN.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
بواسطة: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
منشور في: (2019) -
Gallium Nitride (Gan) Based Gas Sensor
Using Catalytic Metal
بواسطة: Hudeish, Abdo Yahya Omer
منشور في: (2005) -
Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process
بواسطة: Cheah , Sook Fong
منشور في: (2015) -
Fabrication And Investigation Of Gan Nanostructures And Their Applications In Ammonia Gas Sensing
بواسطة: Beh , Khi Poay
منشور في: (2015) -
PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
بواسطة: Chuah , Lee Siang
منشور في: (2009)