DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application
Gallium nitride is a promising wide bandgap semiconductor material for high-power, high temperature and high frequency device applications. However, there are still a number of factors that are limiting the material to reach a satisfactory device performance. Among them the most important and critic...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Munir, Tariq |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2011
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/42797/1/TARIQ_MUNIR.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
بواسطة: Chuah , Lee Siang
منشور في: (2009) -
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
بواسطة: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011) -
Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
بواسطة: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
منشور في: (2019) -
Al-Ta2O5-GaN
Semiconductor Device Structure
بواسطة: Yeoh, Lai Seng
منشور في: (2014) -
First-principles study of structural, electronic and optical properties of AlN, GaN, InN and BN compounds
بواسطة: Al-Sardia, Mowafaq Mohammad Kethyan
منشور في: (2013)