DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application
Gallium nitride is a promising wide bandgap semiconductor material for high-power, high temperature and high frequency device applications. However, there are still a number of factors that are limiting the material to reach a satisfactory device performance. Among them the most important and critic...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| التنسيق: | أطروحة |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2011
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/42797/1/TARIQ_MUNIR.pdf |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|