Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application

Kebanyakan produk semikonduktor moden mudah terdedah kepada kerosakan nyahcas elektrostatik (ESD) dan ini menjadikan perlindungan ESD salah satu keperluan utama bagi litar bersepadu (IC). Walau bagaimanapun, spesifikasi ESD ketika ini menyebabkan kecerutan untuk mencapai tahap ESD yang lebih ketat t...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	Ng, Yit Ming
Format:	Thesis
Language:	English
Published:	2018
Subjects:	T Technology
Online Access:	http://eprints.usm.my/44278/1/Electrostatic%20Discharge%20Protection%20Circuit%20Design%20In%20Deep%20Sub-Micron%20Technology%20For%20Automotive%20Application.pdf
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	my-usm-ep.44278
record_format	uketd_dc
spelling	my-usm-ep.442782019-05-06T03:53:54Z Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application 2018-06 Ng, Yit Ming T Technology TK1001-1841 Production of electric energy or power. Powerplants. Central stations Kebanyakan produk semikonduktor moden mudah terdedah kepada kerosakan nyahcas elektrostatik (ESD) dan ini menjadikan perlindungan ESD salah satu keperluan utama bagi litar bersepadu (IC). Walau bagaimanapun, spesifikasi ESD ketika ini menyebabkan kecerutan untuk mencapai tahap ESD yang lebih ketat terutamanya untuk segmen industri automotif berbanding dengan aplikasi lain. Aktiviti penskalaan agresif teknologi semikonduktor oksida logam gabungan (CMOS) terhadap rejim nanometer menjadikan IC mudah terdedah kepada kegagalan ESD dan pelaksanaan rangkaian perlindungan ESD akan menjadi lebih mencabar. Kajian ini bertujuan untuk membangunkan penyelesaian perlindungan ESD yang berkesan melalui metodologi reka-bentuk bersama prestasi litar. Dua kes ujian sebenar penambahbaikan ESD telah dikaji secara terperinci. Kajian ini menunjukkan bahawa isu LVDS ESD berkelajuan tinggi boleh diselesaikan dengan mengoptimumkan kedua-dua pemandu LVDS berkelajuan tinggi dan reka bentuk MOS ESD. Selain itu, kajian ini juga menunjukkan bahawa kekukuhan ESD yang rapuh dalam domain kuasa kecil boleh dipertingkatkan dengan memperkenalkan pengapit ESD novel. Pelaksanaan penambahbaikan ESD ini berjaya memenuhi kedua-dua spesifikasi ESD automotif yang ketat iaitu sebanyak 2000V bagi model badan manusia (HBM) dan 200V bagi model mesin (MM) dan membolehkan pengecilan CMOS yang berterusan. _______________________________________________________________________________________________________ Many modern semiconductor products are susceptible to the damage of electrostatic discharge (ESD) and this make ESD protection a must for integrated circuits. However, current ESD specifications cause a bottleneck for ESD qualifications especially for the automotive industry segment, which requires more stringent qualification requirements than other applications. The advancement of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistors scaling into the nano-metric regime makes ICs more vulnerable to ESD failures and the implementation of an effective ESD protection designs become very difficult. This research aims to develop a robust ESD protection solution through circuit performance co-design methodologies. Two real test cases of ESD improvements have been studied in detail. This research has shown that the low voltage differential signaling (LVDS) ESD issue can be resolved by optimizing both the high-speed driver gate length and the ESD MOS design. In addition, it is also demonstrated that the fragile ESD robustness in small power domain can be enhanced by introducing a novel ESD clamp. By implementing these ESD improvements, the automotive ESD stringent requirements for both the 2000V human body model (HBM) and the 200V machine model (MM) could be met and enabled the continuation of CMOS scaling. 2018-06 Thesis http://eprints.usm.my/44278/ http://eprints.usm.my/44278/1/Electrostatic%20Discharge%20Protection%20Circuit%20Design%20In%20Deep%20Sub-Micron%20Technology%20For%20Automotive%20Application.pdf application/pdf en public masters Universiti Sains Malaysia Pusat Pengajian Kejuruteraan Elektrik & Elektonik
institution	Universiti Sains Malaysia
collection	USM Institutional Repository
language	English
topic	T Technology T Technology
spellingShingle	T Technology T Technology Ng, Yit Ming Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
description	Kebanyakan produk semikonduktor moden mudah terdedah kepada kerosakan nyahcas elektrostatik (ESD) dan ini menjadikan perlindungan ESD salah satu keperluan utama bagi litar bersepadu (IC). Walau bagaimanapun, spesifikasi ESD ketika ini menyebabkan kecerutan untuk mencapai tahap ESD yang lebih ketat terutamanya untuk segmen industri automotif berbanding dengan aplikasi lain. Aktiviti penskalaan agresif teknologi semikonduktor oksida logam gabungan (CMOS) terhadap rejim nanometer menjadikan IC mudah terdedah kepada kegagalan ESD dan pelaksanaan rangkaian perlindungan ESD akan menjadi lebih mencabar. Kajian ini bertujuan untuk membangunkan penyelesaian perlindungan ESD yang berkesan melalui metodologi reka-bentuk bersama prestasi litar. Dua kes ujian sebenar penambahbaikan ESD telah dikaji secara terperinci. Kajian ini menunjukkan bahawa isu LVDS ESD berkelajuan tinggi boleh diselesaikan dengan mengoptimumkan kedua-dua pemandu LVDS berkelajuan tinggi dan reka bentuk MOS ESD. Selain itu, kajian ini juga menunjukkan bahawa kekukuhan ESD yang rapuh dalam domain kuasa kecil boleh dipertingkatkan dengan memperkenalkan pengapit ESD novel. Pelaksanaan penambahbaikan ESD ini berjaya memenuhi kedua-dua spesifikasi ESD automotif yang ketat iaitu sebanyak 2000V bagi model badan manusia (HBM) dan 200V bagi model mesin (MM) dan membolehkan pengecilan CMOS yang berterusan. _______________________________________________________________________________________________________ Many modern semiconductor products are susceptible to the damage of electrostatic discharge (ESD) and this make ESD protection a must for integrated circuits. However, current ESD specifications cause a bottleneck for ESD qualifications especially for the automotive industry segment, which requires more stringent qualification requirements than other applications. The advancement of complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) transistors scaling into the nano-metric regime makes ICs more vulnerable to ESD failures and the implementation of an effective ESD protection designs become very difficult. This research aims to develop a robust ESD protection solution through circuit performance co-design methodologies. Two real test cases of ESD improvements have been studied in detail. This research has shown that the low voltage differential signaling (LVDS) ESD issue can be resolved by optimizing both the high-speed driver gate length and the ESD MOS design. In addition, it is also demonstrated that the fragile ESD robustness in small power domain can be enhanced by introducing a novel ESD clamp. By implementing these ESD improvements, the automotive ESD stringent requirements for both the 2000V human body model (HBM) and the 200V machine model (MM) could be met and enabled the continuation of CMOS scaling.
format	Thesis
qualification_level	Master's degree
author	Ng, Yit Ming
author_facet	Ng, Yit Ming
author_sort	Ng, Yit Ming
title	Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
title_short	Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
title_full	Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
title_fullStr	Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
title_full_unstemmed	Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application
title_sort	electrostatic discharge protection circuit design in deep sub-micron technology for automotive application
granting_institution	Universiti Sains Malaysia
granting_department	Pusat Pengajian Kejuruteraan Elektrik & Elektonik
publishDate	2018
url	http://eprints.usm.my/44278/1/Electrostatic%20Discharge%20Protection%20Circuit%20Design%20In%20Deep%20Sub-Micron%20Technology%20For%20Automotive%20Application.pdf
_version_	1747821353136816128

Electrostatic Discharge Protection Circuit Design In Deep Sub-Micron Technology For Automotive Application

Similar Items