Fabrication Of Gallium Nitride Nanowires Via Chemical Vapour Deposition
In this project, works are focusing on the investigation of the growth and characterization of GaN nanowires synthesized by Ni-catalyzed chemical vapour deposition under various experimental parameters including gallium source and substrate position, growth temperature, ammonia flow rate and reac...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Low, Li Li |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2012
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/46251/1/Low%20Li%20Li_HJ.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Morphological And Optical
Properties Of Porous Gallium Nitride
(Gan) Fabricated By
Photoelectrochemical Process
بواسطة: Cheah , Sook Fong
منشور في: (2015) -
Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate
بواسطة: Samsudin, Muhammad Esmed Alif
منشور في: (2016) -
Gallium Nitride (Gan) Based Gas Sensor
Using Catalytic Metal
بواسطة: Hudeish, Abdo Yahya Omer
منشور في: (2005) -
Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates
بواسطة: Fong, Chee Yong
منشور في: (2016) -
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
بواسطة: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011)