Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon
This study focuses on the growth and characterization of gallium nitride (GaN) nanostructures deposited on n-type PSi (100) substrate using electrochemical deposition (ECD) and radio frequency (RF) sputtering techniques. In the first step of this work, PSi substrates were obtained using direct curre...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Shamsuddin, Siti Nur Atikah |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2019
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/55614/1/24%20Pages%20from%20Siti%20Nur%20Atikah.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Synthesis Of Gallium Nitride (GaN) Nanostructures By Electrochemical Techniques For Sensing Applications
بواسطة: Al-Heuseen, Khalled Mhammad Kallef
منشور في: (2011) -
PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates
بواسطة: Chuah , Lee Siang
منشور في: (2009) -
A1GaN Thin Films On Silicon Substrates For Photodetector And Transistor Devices
بواسطة: Hussein, Asaad Shakir
منشور في: (2011) -
Growth of GaN-based LED on c-plane GaN substrate /
بواسطة: Sivanathan Pariasamy
منشور في: (2018) -
DC And RF Characterization Of n-GaN Schottky Diode For Microwave Application
بواسطة: Munir, Tariq
منشور في: (2011)