Electrochemical And Radio Frequency Sputtering Growth Of GaN Nanostructures On Porous Silicon

This study focuses on the growth and characterization of gallium nitride (GaN) nanostructures deposited on n-type PSi (100) substrate using electrochemical deposition (ECD) and radio frequency (RF) sputtering techniques. In the first step of this work, PSi substrates were obtained using direct curre...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Shamsuddin, Siti Nur Atikah
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
منشور في: 2019
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.usm.my/55614/1/24%20Pages%20from%20Siti%20Nur%20Atikah.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!