Growth and Characterisation of Low-k dielectric Spin on Glass [QC585. A963 2002 f rb] [Microfiche 7021]
Dimensi didalam peranti mickro VLSI semakin berkurangan dengan satu objektif, iaitu untuk meningkatkan laju pengendalian. Device dimension in VLSI circuit constantly shrink with one main objective, i.e. increase in speed.
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Aw, Kean Chin |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2002
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/5568/1/Growth_and_Characterisation_of_Low-k_dielectric_Spin_on_Glass_%28PhD%29.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649]
بواسطة: Lim, Alex Ying Kiat
منشور في: (2004) -
Landau Theory Of Ferroelectric Thin Films And Superlattices
[QC596.5. N576 2004 f rb] [Microfiche 7584].
بواسطة: Ong, Lye Hock
منشور في: (2004) -
Optical Bistability In Nonlinear Kerr Dielectric And Ferroelectric Materials [QC1].
بواسطة: Abdel-Hamid Ibrahim, Abdel-Baset Mohamed Elnabawi
منشور في: (2009) -
Newborn Hearing Screening In The Special Care Nursery Of Hospital Universiti Sains Malaysia, Kota Bharu[RF291.5.C45 K45 2002 f rb][Microfiche 6992].
بواسطة: Al-Khamesy, Khaled Saad
منشور في: (2002) -
An Immunohistochemical Study Of Survivin Expression In
Normal And In Transformed Cells [QH585.2. I82 2006 f rb].
بواسطة: Alias, Iskandar Zulkarnain
منشور في: (2006)