Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects,...

全面介紹

Saved in:

書目詳細資料
主要作者:	Abdul Hamid, Noorhisyam
格式:	Thesis
語言:	English
出版:	2005
主題:	QD146-197 Inorganic chemistry
在線閱讀:	http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf
標簽:	添加標簽沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!

id	my-usm-ep.6572
record_format	uketd_dc
spelling	my-usm-ep.65722017-03-22T02:23:55Z Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb]. 2005-11 Abdul Hamid, Noorhisyam QD146-197 Inorganic chemistry Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates. 2005-11 Thesis http://eprints.usm.my/6572/ http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf application/pdf en public masters Universiti Sains Malaysia Pusat Pengajian Sains Fizik
institution	Universiti Sains Malaysia
collection	USM Institutional Repository
language	English
topic	QD146-197 Inorganic chemistry
spellingShingle	QD146-197 Inorganic chemistry Abdul Hamid, Noorhisyam Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
description	Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers, ohmic contacts and low resistivity gates.
format	Thesis
qualification_level	Master's degree
author	Abdul Hamid, Noorhisyam
author_facet	Abdul Hamid, Noorhisyam
author_sort	Abdul Hamid, Noorhisyam
title	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_short	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_full	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_fullStr	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_full_unstemmed	Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
title_sort	pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon (111) pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza-beza [qd181.s6 n818 2005 f rb].
granting_institution	Universiti Sains Malaysia
granting_department	Pusat Pengajian Sains Fizik
publishDate	2005
url	http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf
_version_	1747819682764685312

Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].

相似書籍