Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza [QD181.S6 N818 2005 f rb].
Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky ,sentuhan Ohmik dan get berkerintangan rendah. Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects,...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 語言: | English |
| 出版: |
2005
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://eprints.usm.my/6572/1/PEMBENTUKAN_DAN_PENCIRIAN_KOBALT_SILISIDA_ATAS_WAFER_SILIKON_%28111%29_PADA_SUHU_SUBSTRAT_DAN_SEPUH_LINDAP_YANG_BERBEZA-BEZA.pdf |
| 標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
成為第一個發表評論!