Compact Modeling Of Deep Submicron CMOS Transistor With Shallow Trench Isolation Mechanical Stress Effect [TK7871.99.M44 T161 2008 f rb].
Thesis ini memperkenalkan satu model padat, dua model berasaskan empirikal dan satu model berasaskan fizikal untuk kesan tekanan mekanikal Pengasingan Peparit Cetek (STI) ke atas transistor CMOS di bawah submikron. This thesis introduces a compact model, two empirical-based models and a physi...
Saved in:
| 主要作者: | |
|---|---|
| 格式: | Thesis |
| 语言: | English |
| 出版: |
2008
|
| 主题: | |
| 在线阅读: | http://eprints.usm.my/9583/1/COMPACT_MODELING_OF_DEEP_SUBMICRON_CMOS_TRANSISTOR.pdf |
| 标签: |
添加标签
没有标签, 成为第一个标记此记录!
|