The Effect Of Implant Angle And Resist Shadowing In Submicron Implant Technology [QC702.7.I55 L478 2006 f rb].
Dengan adanya peningkatan teknologi bagi industri fabrikasi litar terkamil (IC) ke tahap 90nm dan seterusnya, masih terdapat isu yang perlu ditimbangkan untuk technologi yang lebih rendah (0.13μm dan 0.22μm). As the integrated circuit (IC) fabrication industry gears up to volume manufacturing of...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lee,, Kang Hai |
---|---|
التنسيق: | أطروحة |
اللغة: | English |
منشور في: |
2006
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://eprints.usm.my/9830/1/THE_EFFECT_OF_IMPLANT_ANGLE_AND_RESIST_SHADOWING_IN_SUBMICRON_IMPLANT_TECHNOLOGY.pdf |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
The Effect Of Implant Angle And Resist Shadowing In
Submicron Implant Technology
بواسطة: Lee, Kang Hai
منشور في: (2006) -
Carbon Doped Silicon Dioxide Low K Dielectric Material.[QC585.75.S55 L732 2004 f rb][Microfiche 7649]
بواسطة: Lim, Alex Ying Kiat
منشور في: (2004) -
Pengkelasan Dan Pencirian Sampel Tanah Menggunakan Gelombang Mikro [QC661. F172 2007 f rb].
بواسطة: Aziz, Mohd Fairuz Affandi
منشور في: (2007) -
Synthesis And Characterization Of Undoped And Mg-Doped Zno Nanorods By Hydrothermal Method For Photodetector And Led Applications
بواسطة: Azzez, Shrook Adnan
منشور في: (2017) -
Polycrystalline Gan Layer On M-Plane Sapphire Substrate For Metal-Semiconductor-Metal Photodetector
بواسطة: Kamarulzaman, Azharul Ariff
منشور في: (2017)