Mohamed Hassan, W. F. (2022). Plasma etching process for aluminum-copper metallization by photoresist margin improvement for CMOS 0.13-µm technology.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Mohamed Hassan, Wan Faizal. Plasma Etching Process for Aluminum-copper Metallization by Photoresist Margin Improvement for CMOS 0.13-µm Technology. 2022.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الطبعة الثامنة)Mohamed Hassan, Wan Faizal. Plasma Etching Process for Aluminum-copper Metallization by Photoresist Margin Improvement for CMOS 0.13-µm Technology. 2022.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.