Plasma etching process for aluminum-copper metallization by photoresist margin improvement for CMOS 0.13-µm technology

In wafer fabrication manufacturing, the aluminum etching process is a dry plasma etching process used as the main process for construction of aluminum copper (AlCu) interconnect structures. As customer requirements changed for faster, more reliable and lower cost chips, chip manufacturers have learn...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Mohamed Hassan, Wan Faizal
التنسيق: أطروحة
اللغة:English
English
منشور في: 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/26870/1/Plasma%20etching%20process%20for%20aluminum-copper%20metallization%20by%20photoresist%20margin%20improvement%20for%20CMOS%200.13-%C2%B5m%20technology.pdf
http://eprints.utem.edu.my/id/eprint/26870/2/Plasma%20etching%20process%20for%20aluminum-copper%20metallization%20by%20photoresist%20margin%20improvement%20for%20CMOS%200.13-%C2%B5m%20technology.pdf
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة